Datasheet SI2336DS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 5.2 А, диод, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SI2336DS-T1-GE3
Купить SI2336DS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 1 600 ₽ 25 предложений от 10 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 5.2 А, 0.034 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
SI2336DS-T1-GE3 Vishay | 15 ₽ | ||
SI2336DS-T1-GE3 Vishay | от 27 ₽ | ||
SI2336DS-T1-GE3 Vishay | от 47 ₽ | ||
SI2336DS-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 5.2 А, диод, SOT23
Краткое содержание документа:
New Product
Si2336DS
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 0.034 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 4.3 А
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
Варианты написания:
SI2336DST1GE3, SI2336DS T1 GE3