ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SI2336DS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 5.2 А, диод, SOT23 — Даташит

Vishay SI2336DS-T1-GE3

Наименование модели: SI2336DS-T1-GE3

25 предложений от 10 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 5.2 А, 0.034 Ом, SOT-23, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
SI2336DS-T1-GE3
Vishay
15 ₽
ЭИК
Россия
SI2336DS-T1-GE3
Vishay
от 27 ₽
SI2336DS-T1-GE3
Vishay
от 47 ₽
TradeElectronics
Россия
SI2336DS-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 5.2 А, диод, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si2336DS
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 0.034 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 8 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 4.3 А
  • Power Dissipation Pd: 1.25 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL

Варианты написания:

SI2336DST1GE3, SI2336DS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2336DS-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 30 V, 5.2 A, DIODE, SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России