Datasheet SI3460DDV-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, D-S, 20 В, 7.9 А, TSOP6 — Даташит
Наименование модели: SI3460DDV-T1-GE3
Купить SI3460DDV-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 4.65 до 634 ₽ 26 предложений от 11 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 7.9 А, 0.023 Ом, TSOP, Surface Mount | |||
SI3460DDV-T1-GE3 Vishay | 4.65 ₽ | ||
SI3460DDV-T1-GE3 Vishay | 8.15 ₽ | ||
SI3460DDV-T1-GE3 Vishay | от 35 ₽ | ||
SI3460DDVT1GE3 | 634 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, D-S, 20 В, 7.9 А, TSOP6
Краткое содержание документа:
Si3460DDV
Vishay Siliconix
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.028 at VGS = 4.5 V 0.032 at VGS = 2.5 V 0.038 at VGS = 1.8 V ID (A)d 7.9 7.4 6.8 6.7 nC Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 0.023 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TSOP
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: 6.2 А
- Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Electrolube - SMA10SL
Варианты написания:
SI3460DDVT1GE3, SI3460DDV T1 GE3