Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet SI3460DDV-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, D-S, 20 В, 7.9 А, TSOP6 — Даташит

Vishay SI3460DDV-T1-GE3

Наименование модели: SI3460DDV-T1-GE3

26 предложений от 11 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 7.9 А, 0.023 Ом, TSOP, Surface Mount
SI3460DDV-T1-GE3
Vishay
4.65 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI3460DDV-T1-GE3
Vishay
8.15 ₽
SI3460DDV-T1-GE3
Vishay
от 35 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI3460DDVT1GE3
634 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, D-S, 20 В, 7.9 А, TSOP6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si3460DDV
Vishay Siliconix
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.028 at VGS = 4.5 V 0.032 at VGS = 2.5 V 0.038 at VGS = 1.8 V ID (A)d 7.9 7.4 6.8 6.7 nC Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 0.023 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 8 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TSOP
  • Количество выводов: 6
  • Current Id Max: 6.2 А
  • Power Dissipation Pd: 1.7 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

Варианты написания:

SI3460DDVT1GE3, SI3460DDV T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI3460DDV-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, D-S, 20 V, 7.9 A, TSOP6

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России