Datasheet SI4442DY-T1-E3 - Vishay Даташит Транзистор, полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: SI4442DY-T1-E3
Купить SI4442DY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 4 758 ₽ 23 предложений от 12 поставщиков N-Channel 30 V 15A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC | |||
SI4442DY-T1-E3 Vishay | 36 ₽ | ||
SI4442DY-(T1)-E3 Vishay | 73 ₽ | ||
SI4442DY-(T1)-E3 Vishay | 90 ₽ | ||
SI4442DY-T1-E3 Vishay | от 394 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Транзистор, полевой транзистор
Краткое содержание документа:
Si4442DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0045 at VGS = 10 V 0.005 at VGS = 4.5 V 0.0075 at VGS = 2.5 V ID (A) 22 19 17
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 22 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 4.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 3.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 22 А
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 1.5 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4442DYT1E3, SI4442DY T1 E3