Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet SI4442DY-T1-E3 - Vishay Даташит Транзистор, полевой транзистор — Даташит

Vishay SI4442DY-T1-E3

Наименование модели: SI4442DY-T1-E3

23 предложений от 12 поставщиков
N-Channel 30 V 15A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
SI4442DY-T1-E3
Vishay
36 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI4442DY-(T1)-E3
Vishay
73 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4442DY-(T1)-E3
Vishay
90 ₽
SI4442DY-T1-E3
Vishay
от 394 ₽
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Транзистор, полевой транзистор

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4442DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0045 at VGS = 10 V 0.005 at VGS = 4.5 V 0.0075 at VGS = 2.5 V ID (A) 22 19 17

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 22 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 4.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 3.5 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 22 А
  • Тип корпуса: SOIC
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 1.5 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4442DYT1E3, SI4442DY T1 E3

На английском языке: Datasheet SI4442DY-T1-E3 - Vishay TRANSISTOR, MOSFET

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России