Datasheet SI4484EY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 100 В, 6.9 А, 8-SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4484EY-T1-GE3
![]() 8 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-Pin SOIC N T/R / MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC | |||
SI4484EY-T1-GE3 Vishay | 167 ₽ | ||
SI4484EY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4484EY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4484EY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 100 В, 6.9 А, 8-SOIC
Краткое содержание документа:
Si4484EY
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 100 RDS(on) () 0.034 at VGS = 10 V 0.040 at VGS = 6.0 V ID (A) 6.9 6.4
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 0.028 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 6.9 А
- Power Dissipation Pd: 3.8 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Vishay - SI7942DP-T1-E3
Варианты написания:
SI4484EYT1GE3, SI4484EY T1 GE3