Datasheet SI4488DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 150 В, 5 А, 8-SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4488DY-T1-GE3
![]() 39 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 150 В, 5 А, 0.041 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4488DY-T1-GE3 Vishay | от 76 ₽ | ||
SI4488DY-T1-GE3 Vishay | 85 ₽ | ||
SI4488DY-T1-GE3 Vishay | от 251 ₽ | ||
SI4488DY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 150 В, 5 А, 8-SOIC
Краткое содержание документа:
Si4488DY
Vishay Siliconix
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 150 RDS(on) () 0.050 at VGS = 10 V ID (A) 5.0
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On State Resistance: 0.041 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 5 А
- Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
Варианты написания:
SI4488DYT1GE3, SI4488DY T1 GE3