Datasheet SI4812BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит MOSFET+DIODE, N CH, 30 В, 7.3 А, SO8 — Даташит

Купить SI4812BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 419 ₽ 14 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8Pin SOIC N T/R
Maybo Весь мир	SI4812BDY-T1-GE3 Vishay	14 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	SI4812BDY-T1-GE3 Vishay	от 98 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	SI4812BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SI4812BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: MOSFET+DIODE, N CH, 30 В, 7.3 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4812BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
MOSFET PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.016 at VGS = 10 V 0.021 at VGS = 4.5 V ID (A) 9.5 7.7

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 13 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 7.3 А
• Power Dissipation Pd: 1.4 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• CHEMTRONICS - CW8400
• EREM - 00SA
• MULTICORE (SOLDER) - 698840
• Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI4812BDYT1GE3, SI4812BDY T1 GE3