Datasheet SI4840BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4840BDY-T1-E3
![]() 42 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 19 А, 0.0074 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4840BDY-T1-E3 Vishay | от 65 ₽ | ||
SI4840BDY-T1-E3 Vishay | от 104 ₽ | ||
SI4840BDY-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI4840BDYT1E3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
Si4840BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.009 at VGS = 10 V 0.012 at VGS = 4.5 V ID (A)d 19 15 nC 16 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 19 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 6 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 12.4 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тип корпуса: SOIC-8
- Rise Time: 150 нс
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 40 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4840BDYT1E3, SI4840BDY T1 E3