ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SI4840BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Vishay SI4840BDY-T1-E3

Наименование модели: SI4840BDY-T1-E3

34 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 19 А, 0.0074 Ом, SOIC, Surface Mount
SI4840BDY-T1-E3
Vishay
19 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4840BDY-T1-E3
Vishay
45 ₽
ЧипСити
Россия
SI4840BDY-T1-E3
Vishay
97 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SI4840BDYT1E3
по запросу
Продукция HONGFA – надежность и качество для разных задач

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4840BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.009 at VGS = 10 V 0.012 at VGS = 4.5 V ID (A)d 19 15 nC 16 Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 19 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 9 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 6 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 12.4 А
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Тип корпуса: SOIC-8
  • Rise Time: 150 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 40 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 3 В
  • Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4840BDYT1E3, SI4840BDY T1 E3

На английском языке: Datasheet SI4840BDY-T1-E3 - Vishay MOSFET, N, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России