Datasheet SI4850EY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, 8-SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4850EY-T1-E3
![]() 36 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 8.5 А, 0.018 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4850EY-T1-E3 Vishay | от 64 ₽ | ||
SI4850EY-T1-E3 Vishay | 137 ₽ | ||
SI4850EY-T1-E3 Vishay | от 176 ₽ | ||
SI4850EY-T1-E3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, 8-SOIC
Краткое содержание документа:
Si4850EY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.022 at VGS = 10 V 0.031 at VGS = 4.5 V ID (A) 8.5 7.2
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 22 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 1.7 Вт
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 8.5 А
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4850EYT1E3, SI4850EY T1 E3