Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SI4850EY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 60 В, 8.5 А, 8-SOIC — Даташит

Vishay SI4850EY-T1-GE3

Наименование модели: SI4850EY-T1-GE3

45 предложений от 18 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Microfind
Россия
SI4850EY-T1-GE3
Vishay
63 ₽
SI4850EY-T1-GE3
Vishay
от 143 ₽
Контест
Россия
SI4850EY-T1-GE3
Siliconix
по запросу
Augswan
Весь мир
SI4850EY-T1-GE3
Vishay
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 60 В, 8.5 А, 8-SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4850EY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.022 at VGS = 10 V 0.031 at VGS = 4.5 V ID (A) 8.5 7.2

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On State Resistance: 0.018 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 8.5 А
  • Power Dissipation Pd: 3.3 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Diodes - ZXMN6A11DN8TA
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK

Варианты написания:

SI4850EYT1GE3, SI4850EY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4850EY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DIODE, 60 V, 8.5 A, 8-SOIC

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка