Datasheet SI4850EY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 60 В, 8.5 А, 8-SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4850EY-T1-GE3
![]() 37 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 6 А, 0.018 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4850EY-T1-GE3 Vishay | от 64 ₽ | ||
SI4850EY-T1-GE3 Vishay | от 222 ₽ | ||
SI4850EY-T1-GE3 | по запросу | ||
SI4850EY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 60 В, 8.5 А, 8-SOIC
Краткое содержание документа:
Si4850EY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.022 at VGS = 10 V 0.031 at VGS = 4.5 V ID (A) 8.5 7.2
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 0.018 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 8.5 А
- Power Dissipation Pd: 3.3 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Diodes - ZXMN6A11DN8TA
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
Варианты написания:
SI4850EYT1GE3, SI4850EY T1 GE3