HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI4896DY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит

Vishay SI4896DY-T1-E3

Наименование модели: SI4896DY-T1-E3

29 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 9.5 А, 0.0165 Ом, SOIC, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4896DY-T1-E3
Vishay
63 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI4896DY-T1-E3
Vishay
77 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4896DY-T1-E3
Vishay
77 ₽
TradeElectronics
Россия
SI4896DYT1E3
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4896DY
Vishay Siliconix
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 80 RDS(on) () 0.0165 at VGS = 10 V 0.022 at VGS = 6.0 V ID (A) 9.5 8.3

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 80 В
  • On State Resistance: 16.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 2 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 9.5 А
  • Тип корпуса: SOIC-8
  • Power Dissipation Pd: 1.56 Вт
  • Voltage Vds Typ: 80 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI4896DYT1E3, SI4896DY T1 E3

На английском языке: Datasheet SI4896DY-T1-E3 - Vishay MOSFET, P, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России