Datasheet SI7120ADN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 60 В, 9.5 А, 12128PPAK — Даташит
Наименование модели: SI7120ADN-T1-GE3
![]() 34 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 9.5 А, 0.0175 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount | |||
SI7120ADN-T1-GE3 Vishay | от 66 ₽ | ||
SI7120ADN-T1-GE3 Vishay | 70 ₽ | ||
SI7120ADN-T1-GE3 Vishay | от 161 ₽ | ||
SI7120ADN-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 60 В, 9.5 А, 12128PPAK
Краткое содержание документа:
New Product
Si7120ADN
Vishay Siliconix
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 17500µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAK 1212
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 9.5 А
- Power Dissipation Pd: 3.8 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Electrolube - SMA10SL
Варианты написания:
SI7120ADNT1GE3, SI7120ADN T1 GE3