Datasheet SI7120DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, PPAK1212 — Даташит

Купить SI7120DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 74 до 277 ₽ 15 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8Pin PowerPAK 1212 T/R
Lixinc Electronics Весь мир	SI7120DN-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
МосЧип Россия	SI7120DN-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
727GS Весь мир	SI7120DN-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SI7120DN-T1-GE3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, PPAK1212

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7120DN
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.019 at VGS = 10 V 0.028 at VGS = 4.5 V ID (A) 10 8.2

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 10 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 19 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK 1212
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 6.3 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: PowerPAK
• Rise Time: 12 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3.5 В
• Voltage Vgs th Min: 1.5 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7120DNT1GE3, SI7120DN T1 GE3