Datasheet SI7174DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI7174DP-T1-GE3
Купить SI7174DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 68 до 814 ₽ 25 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 66,5Вт | |||
SI7174DP-T1-GE3 Vishay | 68 ₽ | ||
SI7174DP-T1-GE3 Vishay | 144 ₽ | ||
SI7174DP-T1-GE3 Vishay | 176 ₽ | ||
SI7174DP-T1-GE3 Vishay | от 814 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
New Product
Si7174DP
Vishay Siliconix
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 75 В
- On State Resistance: 7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Voltage Vgs Max: 4.5 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAK SO
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 60 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тип корпуса: PowerPAK
- Power Dissipation Pd: 104 Вт
- Rise Time: 11 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
- Voltage Vds Typ: 75 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4.5 В
- Voltage Vgs th Min: 2.5 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
SI7174DPT1GE3, SI7174DP T1 GE3