Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SI7370DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Vishay SI7370DP-T1-E3

Наименование модели: SI7370DP-T1-E3

29 предложений от 14 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 9.6 А, 0.009 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
SI7370DP-T1-E3
Vishay
122 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI7370DP-T1-E3
Vishay
123 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SI7370DP-T1-E3
по запросу
LifeElectronics
Россия
SI7370DPT1-E3
Vishay
по запросу
Продукция HONGFA – надежность и качество для разных задач

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7370DP
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.011 at VGS = 10 V 0.013 at VGS = 6 V ID (A) 15.8 14.5

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 15.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 11 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.9 Вт
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 15.8 А
  • Тип корпуса: SOIC
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 60 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7370DPT1E3, SI7370DP T1 E3

На английском языке: Datasheet SI7370DP-T1-E3 - Vishay MOSFET, N, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России