Datasheet SI7370DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI7370DP-T1-E3
![]() 37 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 9.6 А, 0.009 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount | |||
SI7370DP-T1-E3 Vishay | от 240 ₽ | ||
SI7370DP-T1-E3 Vishay | от 242 ₽ | ||
SI7370DPT1E3 | 6 685 ₽ | ||
SI7370DP-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
Si7370DP
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.011 at VGS = 10 V 0.013 at VGS = 6 V ID (A) 15.8 14.5
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 15.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 11 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Рассеиваемая мощность: 1.9 Вт
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 15.8 А
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI7370DPT1E3, SI7370DP T1 E3