Datasheet SI7430DP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 26 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI7430DP-T1-GE3
![]() 37 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 150 В, 26 А, 0.036 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount | |||
SI7430DP-T1-GE3 | от 36 ₽ | ||
SI7430DP-T1-GE3 Vishay | 173 ₽ | ||
SI7430DP-T1-GE3 Vishay | 221 ₽ | ||
SI7430DP-T1-GE3 Vishay | от 251 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 26 А, SOIC
Краткое содержание документа:
Si7430DP
Vishay Siliconix
N-Channel 150-V (D-S) WFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 150 RDS(on) () 0.045 at VGS = 10 V 0.047 at VGS = 8 V ID (A)a 26 25 23 nC Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 26 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On Resistance Rds(on): 0.047 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7430DPT1GE3, SI7430DP T1 GE3