Datasheet SI7434DP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 250 В, 3.8 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI7434DP-T1-GE3
![]() 27 предложений от 10 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SI7434DP-T1-GE3 Vishay | 50 ₽ | ||
SI7434DP-T1-GE3 Vishay | от 325 ₽ | ||
SI7434DP-T1-GE3 Vishay | от 345 ₽ | ||
SI7434DP-T1-GE3 Vishay | от 610 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 250 В, 3.8 А, SOIC
Краткое содержание документа:
Si7434DP
Vishay Siliconix
N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 250 RDS(on) () 0.155 at VGS = 10 V 0.162 at VGS = 6 V ID (A) 3.8 3.7
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 3.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 250 В
- On Resistance Rds(on): 162 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 6 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Полярность транзистора: N Channel
- RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7434DPT1GE3, SI7434DP T1 GE3