Datasheet SI7772DP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 35.6 А — Даташит
Наименование модели: SI7772DP-T1-GE3
![]() 26 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI7772DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 35.6A, 30V, 0.0105Ω, 10V, 2.5V | |||
SI7772DP-T1-GE3 Vishay | от 48 ₽ | ||
SI7772DP-T1-GE3 Vishay | от 51 ₽ | ||
SI7772DP-T1-GE3 Siliconix | по запросу | ||
SI7772DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 35.6 А
Краткое содержание документа:
New Product
Si7772DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 35.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.013 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI7772DPT1GE3, SI7772DP T1 GE3