Datasheet SI7774DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, SC DI, 30 В, 60 А, SO8 PPAK — Даташит

Купить SI7774DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 62 до 263 ₽ 11 предложений от 10 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
AiPCBA Весь мир	SI7774DP-T1-GE3 Vishay	90 ₽	Купить
Maybo Весь мир	SI7774DP-T1-GE3 Vishay	118 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	SI7774DP-T1-GE3 Vishay	от 263 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	SI7774DP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, SC DI, 30 В, 60 А, SO8 PPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si7774DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 3100µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 27 А
• Power Dissipation Pd: 5 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• Fairchild - FDS6900AS
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK

Варианты написания:

SI7774DPT1GE3, SI7774DP T1 GE3