Datasheet SI7846DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор транзистор — Даташит

Купить SI7846DP-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 85 до 449 ₽ 23 предложений от 12 поставщиков N-Channel 150 V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ЧипСити Россия	SI7846DP-T1-E3 Vishay	85 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI7846DP-T1-E3 Vishay	89 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	SI7846DP-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	SI7846DP-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7846DP
Vishay Siliconix
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 150 RDS(on) () 0.050 at VGS = 10 V ID (A) 6.7

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On State Resistance: 50 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 24.5 А
• Тип корпуса: SOIC-8
• Power Dissipation Pd: 1.9 Вт
• Voltage Vds Typ: 150 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7846DPT1E3, SI7846DP T1 E3