Datasheet SI7852ADP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI7852ADP-T1-E3
![]() 20 предложений от 12 поставщиков Single N-Channel 80 V 0.017 Ohm Surface Mount Power MosFet - PowerPAK-SO-8 | |||
SI7852ADP-T1-E3 Vishay | 215 ₽ | ||
SI7852ADP-T1-E3 Vishay | от 231 ₽ | ||
SI7852ADP-T1-E3 Vishay | 335 ₽ | ||
SI7852ADP-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
Si7852ADP
Vishay Siliconix
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 80 RDS(on) () 0.017 at VGS = 10 V 0.021 at VGS = 8 V ID (A)a 30 30 Qg (Typ.) 30.5
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 30 А
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On State Resistance: 17 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAK SO
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 12 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тип корпуса: PowerPAK
- Power Dissipation Pd: 62.5 Вт
- Rise Time: 9 нс
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 80 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4.5 В
- Voltage Vgs th Min: 2.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
SI7852ADPT1E3, SI7852ADP T1 E3