Datasheet SI7852DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 7.6 А, PPSO8 — Даташит
Наименование модели: SI7852DP-T1-E3
![]() 37 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 7.6 А, 0.0135 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount | |||
SI7852DP-T1-E3 | от 30 ₽ | ||
SI7852DP-T1-E3 Vishay | 194 ₽ | ||
SI7852DP-T1-E3 Vishay | от 262 ₽ | ||
SI7852DP-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 7.6 А, PPSO8
Краткое содержание документа:
Si7852DP
Vishay Siliconix
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 80 RDS(on) () 0.0165 at VGS = 10 V 0.022 at VGS = 6 V ID (A) 12.5 10.9
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 12.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 16.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 1.9 Вт
- Корпус транзистора: PowerPAK SO
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 7.6 А
- Тип корпуса: PowerPAK SO-8
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 80 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI7852DPT1E3, SI7852DP T1 E3