Клеммные колодки Keen Side

Datasheet SI7860DP-T1-E3 - Vishay Даташит Транзистор, полевой транзистор — Даташит

Vishay SI7860DP-T1-E3

Наименование модели: SI7860DP-T1-E3

22 предложений от 16 поставщиков
Транзисторы - МОП-транзисторы
AiPCBA
Весь мир
SI7860DP-T1-E3
Vishay
123 ₽
SI7860DP-T1-E3
Vishay
по запросу
SI7860DP-T1-E3----CALLF
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
SI7860DP-T1-E3 IC
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Транзистор, полевой транзистор

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7860DP
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.008 at VGS = 10 V 0.011 at VGS = 4.5 V ID (A) 18 15

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 18 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 8 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 18 А
  • Тип корпуса: SOIC-8
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 3 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7860DPT1E3, SI7860DP T1 E3

На английском языке: Datasheet SI7860DP-T1-E3 - Vishay TRANSISTOR, MOSFET

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка