Datasheet SI7882DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, 8-SOIC — Даташит

Купить SI7882DP-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 73 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI7882DP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 22A, 12V, 5.5mohm, 4.5V, 1.4V
AiPCBA Весь мир	SI7882DP-T1-E3 Vishay	67 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SI7882DP-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI7882DP-T1-E3	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	SI7882DP-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, 8-SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7882DP
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 12 RDS(on) () 0.0055 at VGS = 4.5 V 0.008 at VGS = 2.5 V ID (A) 22 18

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 22 А
• Drain Source Voltage Vds: 12 В
• On Resistance Rds(on): 5.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
• Рассеиваемая мощность: 5 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 13 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 12 В
• Voltage Vgs Max: 1.4 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7882DPT1E3, SI7882DP T1 E3