ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SIA414DJ-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 8 В, 12 А, SC70-6 — Даташит

Vishay SIA414DJ-T1-GE3

Наименование модели: SIA414DJ-T1-GE3

16 предложений от 10 поставщиков
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
AiPCBA
Весь мир
SIA414DJ-T1-GE3
Vishay
47 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIA414DJ-T1-GE3
Vishay
47 ₽
ЭИК
Россия
SIA414DJ-T1-GE3
Vishay
от 76 ₽
Acme Chip
Весь мир
SIA414DJ-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 8 В, 12 А, SC70-6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiA414DJ
Vishay Siliconix
N-Channel 8-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 8 В
  • On State Resistance: 9 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 5 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SC-70
  • Количество выводов: 6
  • Current Id Max: 12 А
  • Power Dissipation Pd: 3.5 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • EREM - 00SA
  • International Rectifier - IRF9910PBF
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840

Варианты написания:

SIA414DJT1GE3, SIA414DJ T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIA414DJ-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 8 V, 12 A, SC70-6

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России