Datasheet SIA444DJT-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 12 А, SC70 PPAK — Даташит
Наименование модели: SIA444DJT-T1-GE3
Купить SIA444DJT-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 48 ₽ 9 предложений от 6 поставщиков МОП-транзистор N-Channel 30 V (D-S) | |||
SIA444DJT-T1-GE3 Vishay | от 25 ₽ | ||
SIA444DJT-T1-GE3 Vishay | 48 ₽ | ||
SIA444DJT-T1-GE3 Vishay | 48 ₽ | ||
SIA444DJT-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 12 А, SC70 PPAK
Краткое содержание документа:
New Product
SiA444DJT
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
FEATURES PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 0.014 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAK SC70
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: 11 А
- Power Dissipation Pd: 3.5 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Fairchild - FDS6900AS
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
Варианты написания:
SIA444DJTT1GE3, SIA444DJT T1 GE3