Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet SIA850DJ-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, + DI, 190 В, 0.95 А, SC70PPAK

Vishay SIA850DJ-T1-GE3

Наименование модели: SIA850DJ-T1-GE3

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, + DI, 190 В, 0.95 А, SC70PPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiA850DJ
Vishay Siliconix
N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 190 В
  • On State Resistance: 3 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 16 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: PowerPAK SC70
  • Количество выводов: 6
  • Current Id Max: 470 мА
  • Power Dissipation Pd: 1.9 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

Варианты написания:

SIA850DJT1GE3, SIA850DJ T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIA850DJ-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, + DI, 190 V, 0.95 A, SC70PPAK

MOSFET N-CH 190V 950MA SC70-6
ПоставщикПроизводительЦена
ЭИКVishayпо запросу
T-electronVishayпо запросу
Океан ЭлектроникиVishayпо запросу
Подробнее об условиях поставки »

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Бесснаберный FLYBACK с транзисторами 950 В P7
Вебинар Уникальный подход MORNSUN к разработке DC/DC-преобразователей 30.05.2019
Срезы ↓
Новая Инженерная Школа
Новая Инженерная Школа
Курсы и семинары для инженеров, технологов, разработчиков и конструкторов предприятий приборостроения.

Рейтинг@Mail.ru