Datasheet SIA850DJ-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, + DI, 190 В, 0.95 А, SC70PPAK — Даташит

Купить SIA850DJ-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков MOSFET N-CH 190V 950MA SC70-6
AiPCBA Весь мир	SIA850DJ-T1-GE3 Vishay	25 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SIA850DJ-T1-GE3	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	SIA850DJ-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SiA850DJ-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, + DI, 190 В, 0.95 А, SC70PPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiA850DJ
Vishay Siliconix
N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 190 В
• On State Resistance: 3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 16 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SC70
• Количество выводов: 6
• Current Id Max: 470 мА
• Power Dissipation Pd: 1.9 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• Electrolube - SMA10SL

Варианты написания:

SIA850DJT1GE3, SIA850DJ T1 GE3