Datasheet SIB410DK-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 9 А, SC75 PPAK — Даташит
Наименование модели: SIB410DK-T1-GE3
Купить SIB410DK-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 38 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков N-Channel 30 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6 | |||
| SIB410DK-T1-GE3 Vishay | 25 ₽ | ||
| SIB410DK-T1-GE3 Vishay | 38 ₽ | ||
| SIB410DK-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SIB410DK-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 9 А, SC75 PPAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
New Product
SiB410DK
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 0.034 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAK SC75
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: 5.9 А
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Electrolube - SMA10SL
Варианты написания:
SIB410DKT1GE3, SIB410DK T1 GE3
