Datasheet SIHP18N50C-E3В - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт DIO, 500 В, 18 А, TO220AB — Даташит
Наименование модели: SIHP18N50C-E3В
![]() 29 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SIHP18N50C-E3 Vishay | 131 ₽ | ||
SIHP18N50C-E3 Vishay | от 220 ₽ | ||
SIHP18N50C-E3 Vishay | по запросу | ||
SIHP18N50C-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт DIO, 500 В, 18 А, TO220AB
Краткое содержание документа:
SiHP18N50C
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) at TJ max.
RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration VGS = 10 V 76 21 29 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 18 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 0.225 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Power Dissipation Pd: 223 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SIHP18N50CE3В , SIHP18N50C E3В