Datasheet SIR166DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 40 А, PPAKSO8 — Даташит
Наименование модели: SIR166DP-T1-GE3
![]() 30 предложений от 14 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
SIR166DP-T1-GE3 | от 17 ₽ | ||
SIR166DP-T1-GE3 Vishay | от 121 ₽ | ||
SIR166DP-T1-GE3 Vishay | 131 ₽ | ||
SIR166DP-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 40 А, PPAKSO8
Краткое содержание документа:
New Product
SiR166DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 2600µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 29.5 А
- Power Dissipation Pd: 5 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Fairchild - FDS6900AS
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
Варианты написания:
SIR166DPT1GE3, SIR166DP T1 GE3