Datasheet SIR402DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiR402DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.006 at VGS = 10 V 0.008 at VGS = 4.5 V ID (A)a 35 12 nC 35 Qg (Typ.)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 35 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 4.2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 20.7 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: PowerPAK
• Rise Time: 20 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR402DPT1E3, SIR402DP T1 E3