Datasheet SIR422DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 40 В, 40 А, PPAKSO8 — Даташит

Наименование модели: SIR422DP-T1-GE3
31 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные  | |||
| SIR422DP-T1-GE3 Vishay  | 26 ₽ | ||
| SIR422DP-T1-GE3 | 99 ₽ | ||
| SIR422DP-T1-GE3 Vishay  | по запросу | ||
| SIR422DP-T1-GE3 Vishay  | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 40 В, 40 А, PPAKSO8
Краткое содержание документа:
SiR422DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0066 at VGS = 10 V 0.008 at VGS = 4.5 V ID (A)a 40 16.1 nC 40 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
 - Drain Source Voltage Vds: 40 В
 - On State Resistance: 5400µ Ом
 - Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
 - Voltage Vgs Max: 20 В
 - Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
 - Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
 - Количество выводов: 8
 - Current Id Max: 20.5 А
 - Power Dissipation Pd: 5 Вт
 
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
 - Fairchild - FDS8949
 - Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
 
Варианты написания:
SIR422DPT1GE3, SIR422DP T1 GE3






