Datasheet SIR422DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 40 В, 40 А, PPAKSO8 — Даташит
Наименование модели: SIR422DP-T1-GE3
![]() 30 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 0.0054Ω; ID 20A; PowerPak SO-8; -55de | |||
SIR422DP-T1-GE3 Vishay | 54 ₽ | ||
SIR422DP-T1-GE3 Vishay | 65 ₽ | ||
SIR422DP-T1-GE3-VB | 142 ₽ | ||
SIR422DP-T1-GE3 Vishay | 201 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 40 В, 40 А, PPAKSO8
Краткое содержание документа:
SiR422DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0066 at VGS = 10 V 0.008 at VGS = 4.5 V ID (A)a 40 16.1 nC 40 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On State Resistance: 5400µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 20.5 А
- Power Dissipation Pd: 5 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Fairchild - FDS8949
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
Варианты написания:
SIR422DPT1GE3, SIR422DP T1 GE3