Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet SIR422DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 40 В, 40 А, PPAKSO8 — Даташит

Vishay SIR422DP-T1-GE3

Наименование модели: SIR422DP-T1-GE3

31 предложений от 16 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ЧипСити
Россия
SIR422DP-T1-GE3
Vishay
26 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SIR422DP-T1-GE3
99 ₽
SIR422DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SIR422DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 40 В, 40 А, PPAKSO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiR422DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0066 at VGS = 10 V 0.008 at VGS = 4.5 V ID (A)a 40 16.1 nC 40 Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On State Resistance: 5400µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 20.5 А
  • Power Dissipation Pd: 5 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Fairchild - FDS8949
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK

Варианты написания:

SIR422DPT1GE3, SIR422DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIR422DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DIODE, 40 V, 40 A, PPAKSO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка