Datasheet SIR800DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 20 В, 50 А, PPAKSO8 — Даташит
Наименование модели: SIR800DP-T1-GE3
![]() 31 предложений от 12 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SIR800DP-T1-GE3 Vishay | 64 ₽ | ||
SIR800DP-T1-GE3 Vishay | от 156 ₽ | ||
SIR800DP-T1-GE3 Vishay | 160 ₽ | ||
SIR800DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 20 В, 50 А, PPAKSO8
Краткое содержание документа:
New Product
SiR800DP
Vishay Siliconix
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 1900µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 35.4 А
- Power Dissipation Pd: 5.2 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Vishay - SI9926CDY-T1-E3
Варианты написания:
SIR800DPT1GE3, SIR800DP T1 GE3