Datasheet SIR800DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 20 В, 50 А, PPAKSO8 — Даташит
Наименование модели: SIR800DP-T1-GE3
Купить SIR800DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 142 до 7 076 ₽ 17 предложений от 9 поставщиков N-Channel 20 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | |||
SIR800DP-T1-GE3 Vishay | 142 ₽ | ||
SIR800DP-T1-GE3 Vishay | 143 ₽ | ||
SIR800DP-T1-GE3 Vishay | от 153 ₽ | ||
SIR800DPT1GE3 | 7 076 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 20 В, 50 А, PPAKSO8
Краткое содержание документа:
New Product
SiR800DP
Vishay Siliconix
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 1900µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 35.4 А
- Power Dissipation Pd: 5.2 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Vishay - SI9926CDY-T1-E3
Варианты написания:
SIR800DPT1GE3, SIR800DP T1 GE3