Datasheet SIR804DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 60 А, PPAK8 — Даташит

Наименование модели: SIR804DP-T1-GE3
 Купить SIR804DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 242 ₽30 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные  | |||
| SIR804DP-T1-GE3 | от 34 ₽ | ||
| SIR804DP-T1-GE3 Vishay  | 222 ₽ | ||
| SIR804DP-T1-GE3 Vishay  | от 225 ₽ | ||
| SIR804DP-T1-GE3 Vishay  | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 60 А, PPAK8
Краткое содержание документа:
New Product
SiR804DP
Vishay Siliconix
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
 - Continuous Drain Current Id: 60 А
 - Drain Source Voltage Vds: 100 В
 - On State Resistance: 0.0059 Ом
 - Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
 - Voltage Vgs Max: 20 В
 - Power Dissipation Pd: 104 Вт
 - Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
 - Корпус транзистора: PowerPAK SO
 - Количество выводов: 8
 
RoHS: есть
Варианты написания:
SIR804DPT1GE3, SIR804DP T1 GE3

Купить SIR804DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены




