Datasheet SIR804DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 60 А, PPAK8 — Даташит
Наименование модели: SIR804DP-T1-GE3
![]() 31 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, VISHAY SIR804DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 60A, 100V, 0.0059Ω, 10V, 1.2V | |||
SIR804DP-T1-GE3 | от 34 ₽ | ||
SIR804DP-T1-GE3 Vishay | 104 ₽ | ||
SIR804DP-T1-GE3 Vishay | от 226 ₽ | ||
SIR804DP-T1-GE3 Vishay | от 251 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 60 А, PPAK8
Краткое содержание документа:
New Product
SiR804DP
Vishay Siliconix
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 0.0059 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 104 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAK SO
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SIR804DPT1GE3, SIR804DP T1 GE3