Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SIR804DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 60 А, PPAK8 — Даташит

Vishay SIR804DP-T1-GE3

Наименование модели: SIR804DP-T1-GE3

30 предложений от 14 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AllElco Electronics
Весь мир
SIR804DP-T1-GE3
от 34 ₽
Maybo
Весь мир
SIR804DP-T1-GE3
Vishay
222 ₽
SIR804DP-T1-GE3
Vishay
от 225 ₽
Augswan
Весь мир
SIR804DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 60 А, PPAK8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR804DP
Vishay Siliconix
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 0.0059 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Power Dissipation Pd: 104 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PowerPAK SO
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR804DPT1GE3, SIR804DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIR804DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W DIODE, 100 V, 60 A, PPAK8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка