Datasheet SIR876DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 100 В, 40 А, PPAKSO8 — Даташит

Купить SIR876DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 96 до 917 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
AiPCBA Весь мир	SIR876DP-T1-GE3 Vishay	96 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	SIR876DP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SIR876DP-T1-GE3	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SIR876DP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 100 В, 40 А, PPAKSO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR876DP
Vishay Siliconix
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 8700µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 15.2 А
• Power Dissipation Pd: 5 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK

Варианты написания:

SIR876DPT1GE3, SIR876DP T1 GE3