Datasheet SIR890DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить SIR890DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 76 до 296 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, VISHAY SIR890DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 50A, 20V, 0.0023Ω, 20V, 2.6V
AiPCBA Весь мир	SIR890DP-T1-GE3 Vishay	150 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SIR890DP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SIR890DP-T1-GE3 MOS	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SIR890DP-T1-GE3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR890DP
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 50 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 2.9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Voltage Vgs Max: 2.6 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 50 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: PowerPAK
• Power Dissipation Pd: 50 Вт
• Rise Time: 10 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.6 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.6 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SIR890DPT1GE3, SIR890DP T1 GE3