Datasheet SIS402DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 35 А, POWERPAK8 — Даташит

Купить SIS402DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 229 ₽ 23 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт
Стандарт СИЗ Россия	SIS402DN-T1-GE3 Vishay	18 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SIS402DN-T1-GE3 Vishay	42 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	SIS402DN-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
Acme Chip Весь мир	SIS402DN-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 35 А, POWERPAK8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiS402DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.006 at VGS = 10 V 0.008 at VGS = 4.5 V ID (A)a, g 35 35 Qg (Typ.) 12 nC

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 4.8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK 1212
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 19 А
• Power Dissipation Pd: 3.8 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• CHEMTRONICS - CW8400
• EREM - 00SA
• MULTICORE (SOLDER) - 698840
• Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SIS402DNT1GE3, SIS402DN T1 GE3