Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet SIS414DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 20 А, PPAK1212-8 — Даташит

Vishay SIS414DN-T1-GE3

Наименование модели: SIS414DN-T1-GE3

10 предложений от 10 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8Pin PowerPAK 1212 T/R
AiPCBA
Весь мир
SIS414DN-T1-GE3
Vishay
34 ₽
TradeElectronics
Россия
SIS414DN-T1-GE3
Vishay
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
SIS414DN-T1-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SIS414DN-T1-GE3
Vishay
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 20 А, PPAK1212-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiS414DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 0.013 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 12 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PowerPAK 1212
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 10.8 А
  • Power Dissipation Pd: 3.4 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

Варианты написания:

SIS414DNT1GE3, SIS414DN T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIS414DN-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DIODE, 30 V, 20 A, PPAK1212-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка