Datasheet SIS414DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 20 А, PPAK1212-8 — Даташит
Наименование модели: SIS414DN-T1-GE3
![]() 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8Pin PowerPAK 1212 T/R | |||
SIS414DN-T1-GE3 Vishay | 34 ₽ | ||
SIS414DN-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SIS414DN-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SIS414DN-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 20 А, PPAK1212-8
Краткое содержание документа:
New Product
SiS414DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 0.013 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAK 1212
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 10.8 А
- Power Dissipation Pd: 3.4 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Electrolube - SMA10SL
Варианты написания:
SIS414DNT1GE3, SIS414DN T1 GE3