Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet SIS434DN-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 35 А — Даташит

Vishay SIS434DN-T1-GE3

Наименование модели: SIS434DN-T1-GE3

39 предложений от 14 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AllElco Electronics
Весь мир
SIS434DN-T1-GE3
от 11 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SIS434DN-T1-GE3
81 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SIS434DN-T1-GE3
по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
SIS434DN-T1-GE3
Vishay
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 35 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiS434DN
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0076 at VGS = 10 V 0.0092 at VGS = 4.5 V ID (A)a 35 12.5 nC 35 Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 35 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0076 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIS434DNT1GE3, SIS434DN T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIS434DN-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 40 V, 35 A

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка