Datasheet SIS434DN-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 35 А — Даташит
Наименование модели: SIS434DN-T1-GE3
![]() 32 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 17,6А; Idm: 60А; 33Вт | |||
SIS434DN-T1-GE3 Vishay | 33 ₽ | ||
SIS434DN-T1-GE3 Vishay | от 64 ₽ | ||
SIS434DN-T1-GE3 Vishay | от 68 ₽ | ||
SIS434DN-T1-GE3 Vishay | 73 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 35 А
Краткое содержание документа:
SiS434DN
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0076 at VGS = 10 V 0.0092 at VGS = 4.5 V ID (A)a 35 12.5 nC 35 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 35 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 0.0076 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SIS434DNT1GE3, SIS434DN T1 GE3