Datasheet SIS456DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 35 А, PPAK1212-8 — Даташит

Купить SIS456DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 227 ₽ 12 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin PowerPAK 1212 T/R
AiPCBA Весь мир	SIS456DN-T1-GE3 Vishay	34 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SIS456DN-T1-GE3 Vishay	37 ₽	Купить
Maybo Весь мир	SIS456DN-T1-GE3 Vishay	49 ₽	Купить
727GS Весь мир	SIS456DN-T1-GE3 Vishay	от 227 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 35 А, PPAK1212-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiS456DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0051 at VGS = 10 V 0.0068 at VGS = 4.5 V ID (A)a 35 35 Qg (Typ.) 18.5 nC

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 4200µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK 1212
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 21 А
• Power Dissipation Pd: 3.8 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• Electrolube - SMA10SL

Варианты написания:

SIS456DNT1GE3, SIS456DN T1 GE3