Datasheet SIS478DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 12 А, PPAK1212-8 — Даташит

Наименование модели: SIS478DN-T1-GE3
9 предложений от 9 поставщиков МОП-транзистор 30V 12A N-CH МОП-транзистор  | |||
| SIS478DN-T1-GE3 | 19 ₽ | ||
| SIS478DN-T1-GE3 | по запросу | ||
| SIS478DN-T1-GE3 Vishay  | по запросу | ||
| SIS478DN-T1-GE3 Vishay  | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 12 А, PPAK1212-8
Краткое содержание документа:
New Product
SiS478DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
 - Drain Source Voltage Vds: 30 В
 - On State Resistance: 0.016 Ом
 - Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
 - Voltage Vgs Max: 25 В
 - Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
 - Корпус транзистора: PowerPAK 1212
 - Количество выводов: 8
 - Current Id Max: 9.4 А
 - Power Dissipation Pd: 3.2 Вт
 
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
 - Electrolube - SMA10SL
 
Варианты написания:
SIS478DNT1GE3, SIS478DN T1 GE3






