Datasheet SQ4410EY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 15 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SQ4410EY-T1-GE3
![]() 28 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8Pin SOIC N T/R | |||
SQ4410EY-T1_GE3 | от 107 ₽ | ||
SQ4410EY-T1_GE3 Vishay | 110 ₽ | ||
SQ4410EYT1_GE3 | 4 926 ₽ | ||
SQ4410EY-T1_GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 15 А, SO8
Краткое содержание документа:
SQ4410EY
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 30 0.012 0.020 15 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 15 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 0.009 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SQ4410EYT1GE3, SQ4410EY T1 GE3