Datasheet SQ4850EY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 12 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SQ4850EY-T1-GE3
![]() 36 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 12 А, 0.017 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SQ4850EY-T1-GE3 Vishay | 44 ₽ | ||
SQ4850EY-T1_GE3 Vishay | 89 ₽ | ||
SQ4850EY-T1_GE3 Vishay | от 123 ₽ | ||
SQ4850EY-T1_GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 12 А, SO8
Краткое содержание документа:
SQ4850EY
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 60 0.022 0.031 12 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 12 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 0.017 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 6.8 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SQ4850EYT1GE3, SQ4850EY T1 GE3