Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SQ4850EY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 12 А, SO8 — Даташит

Vishay SQ4850EY-T1-GE3

Наименование модели: SQ4850EY-T1-GE3

36 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 12 А, 0.017 Ом, SOIC, Surface Mount
ЧипСити
Россия
SQ4850EY-T1-GE3
Vishay
44 ₽
Элитан
Россия
SQ4850EY-T1_GE3
Vishay
89 ₽
SQ4850EY-T1_GE3
Vishay
от 123 ₽
Augswan
Весь мир
SQ4850EY-T1_GE3
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 12 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQ4850EY
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 60 0.022 0.031 12 Single

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 12 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On State Resistance: 0.017 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Power Dissipation Pd: 6.8 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SQ4850EYT1GE3, SQ4850EY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SQ4850EY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W DIODE, 60 V, 12 A, SO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка