Datasheet SQD30N05-20L -GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 30 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SQD30N05-20L -GE3
 Купить SQD30N05-20L -GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.15 до 5 178 ₽23 предложений от 8 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 30 А, 0.016 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
| SQD30N05-20L_GE3 Vishay | от 3.15 ₽ | ||
| SQD30N05-20L_GE3 Vishay | 53 ₽ | ||
| SQD30N05-20L_GE3 Vishay | 53 ₽ | ||
| SQD30N05-20L_GE3 Vishay | от 130 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 30 А, TO-252
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
SPICE Device Model SQD30N05-20L
Vishay Siliconix
N-Channel 55 V (D-S) 175 °C MOSFET
DESCRIPTION
The attached SPICE model describes the typical electrical characteristics of the n-channel vertical DMOS.
The subcircuit model is extracted and optimized over the - 55 °C to + 125 °C temperature ranges under the pulsed 0 V to 10 V gate drive. The saturated output impedance is best fit at the gate bias near the threshold voltage. A novel gate-to-drain feedback capacitance network is used to model the gate charge characteristics while avoiding convergence difficulties of the switched Cgd model. All model parameter values are optimized to provide a best fit to the measured electrical data and are not intended as an exact physical interpretation of the device.
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 30 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On State Resistance: 0.016 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 5 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQD30N0520L GE3, SQD30N05 20L GE3
