Datasheet SQD30N05-20L -GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 30 А, TO-252 — Даташит

Купить SQD30N05-20L -GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 4 474 ₽ 38 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 30 А, 0.016 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Элитан Россия	SQD30N05-20L_GE3 Vishay	114 ₽	Купить
ЭИК Россия	SQD30N05-20L_GE3 Vishay	от 118 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	SQD30N05-20L-GE3 Vishay	от 132 ₽	Купить
Augswan Весь мир	SQD30N05-20L-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 30 А, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPICE Device Model SQD30N05-20L
Vishay Siliconix
N-Channel 55 V (D-S) 175 °C MOSFET
DESCRIPTION
The attached SPICE model describes the typical electrical characteristics of the n-channel vertical DMOS.

The subcircuit model is extracted and optimized over the - 55 °C to + 125 °C temperature ranges under the pulsed 0 V to 10 V gate drive. The saturated output impedance is best fit at the gate bias near the threshold voltage. A novel gate-to-drain feedback capacitance network is used to model the gate charge characteristics while avoiding convergence difficulties of the switched Cgd model. All model parameter values are optimized to provide a best fit to the measured electrical data and are not intended as an exact physical interpretation of the device.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 30 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On State Resistance: 0.016 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 5 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQD30N0520L GE3, SQD30N05 20L GE3