Datasheet SQD40N04-10A-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 42 А, TO-252 — Даташит

Vishay SQD40N04-10A-GE3

Наименование модели: SQD40N04-10A-GE3

Купить SQD40N04-10A-GE3 на РадиоЛоцман.Цены 7 предложений от 4 поставщиков TRANSISTOR 42 A, 40 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose...
Akcel Весь мир	SQD40N04-10A-GE3	от 350 ₽
Контест Россия	SQD40N04-10A-GE3 Siliconix	по запросу
ТаймЧипс Россия	SQD40N04-10A-GE3 Vishay	по запросу
Acme Chip Весь мир	SQD40N04-10A-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 42 А, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQD40N04-10A
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 40 0.010 0.014 42 Single

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 42 А
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On State Resistance: 0.006 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Power Dissipation Pd: 71 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-252
Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQD40N0410AGE3, SQD40N04 10A GE3