Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet SQD40N10-25-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, TO-252 — Даташит

Vishay SQD40N10-25-GE3

Наименование модели: SQD40N10-25-GE3

22 предложений от 12 поставщиков
Труба MOS, TRANSISTOR 40A, 100V, 0.025Ω, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power...
AiPCBA
Весь мир
SQD40N10-25-GE3
Vishay
130 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SQD40N10-25-GE3 (1869911)
Vishay
412 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SQD40N10-25-GE3
Vishay
по запросу
МосЧип
Россия
SQD40N10-25-GE3
Vishay
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQD40N10-25
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 100 0.025 0.029 40 Single

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 40 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 0.019 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Power Dissipation Pd: 136 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQD40N1025GE3, SQD40N10 25 GE3

На английском языке: Datasheet SQD40N10-25-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W DIODE, 100 V, 40 A, TO-252

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка