Datasheet SQD40N10-25-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SQD40N10-25-GE3
![]() 23 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, TRANSISTOR 40A, 100V, 0.025Ω, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power... | |||
SQD40N10-25-GE3 Vishay | 100 ₽ | ||
SQD40N10-25-GE3 Vishay | 128 ₽ | ||
SQD40N10-25-GE3 Vishay | от 603 ₽ | ||
SQD40N10-25-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, TO-252
Краткое содержание документа:
SQD40N10-25
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 100 0.025 0.029 40 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 40 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 0.019 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 136 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQD40N1025GE3, SQD40N10 25 GE3