Datasheet SQD50N03-06P-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 50 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SQD50N03-06P-GE3
![]() 9 предложений от 7 поставщиков MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252 | |||
SQD50N03-06P-GE3-VB | 142 ₽ | ||
SQD50N03-06P-GE3 Vishay | по запросу | ||
SQD50N03-06P-GE3 Vishay | по запросу | ||
SQD50N03-06P-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 50 А, TO-252
Краткое содержание документа:
SQD50N03-06P
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 30 0.0060 0.0085 50 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 0.0047 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 83 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQD50N0306PGE3, SQD50N03 06P GE3