Datasheet SQD50N03-09-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 50 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SQD50N03-09-GE3
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | |||
SQD50N03-09-GE3-VB | 142 ₽ | ||
SQD50N03-09-GE3 Vishay | по запросу | ||
SQD50N03-09-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 50 А, TO-252
Краткое содержание документа:
SQD50N03-09
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 0.006 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 71 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQD50N0309GE3, SQD50N03 09 GE3