Клеммные колодки Keen Side

Datasheet SQD50N03-09-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 50 А, TO-252 — Даташит

Vishay SQD50N03-09-GE3

Наименование модели: SQD50N03-09-GE3

Триема
Россия
SQD50N03-09-GE3-VB
142 ₽
SQD50N03-09-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SQD50N03-09-GE3
Vishay
по запросу
Решения для систем охлаждения

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 50 А, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQD50N03-09
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 50 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 0.006 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Power Dissipation Pd: 71 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQD50N0309GE3, SQD50N03 09 GE3

На английском языке: Datasheet SQD50N03-09-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W DIODE, 30 V, 50 A, TO-252

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка