Datasheet SQD50N04-4M5L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 50 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SQD50N04-4M5L-GE3
![]() 33 предложений от 12 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 50 А, 0.003 Ом, TO-252AA, Surface Mount | |||
SQD50N04-4M5L-GE3 Vishay | от 55 ₽ | ||
SQD50N04-4M5L-GE3 Vishay | 55 ₽ | ||
SQD50N04-4M5L-GE3 Vishay | от 232 ₽ | ||
SQD50N04-4M5L_GE3 Vishay | от 235 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 50 А, TO-252
Краткое содержание документа:
SQD50N04-4m5L
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 40 0.0045 0.006 50 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On State Resistance: 0.003 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 136 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQD50N044M5LGE3, SQD50N04 4M5L GE3