Datasheet SQJ412EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 32 А, POPAK8L — Даташит

Купить SQJ412EP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 8 039 ₽ 29 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 32А; 83Вт; PowerPAK® SO8
AiPCBA Весь мир	SQJ412EP-T1_GE3 Vishay	63 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SQJ412EP-T1_GE3 Vishay	от 246 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SQJ412EPT1_GE3	8 039 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SQJ412EP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 32 А, POPAK8L

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQJ412EP
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 32 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On State Resistance: 0.0034 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Power Dissipation Pd: 83 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SQJ412EPT1GE3, SQJ412EP T1 GE3