Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SQJ456EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 32 А, PPAK8L — Даташит

Vishay SQJ456EP-T1-GE3

Наименование модели: SQJ456EP-T1-GE3

23 предложений от 12 поставщиков
Труба MOS, VISHAY SQJ456EP-T1-GE3 MOSFET Transistor, Automotive, N Channel, 32A, 100V, 0.021Ω, 10V, 3V
ChipWorker
Весь мир
SQJ456EP-T1-GE3
Vishay
74 ₽
SQJ456EP-T1_GE3
Vishay
от 499 ₽
727GS
Весь мир
SQJ456EP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
SQJ456EP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Новое семейство LED-драйверов XLC компании MEAN WELL с дополнительными возможностями диммирования

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 32 А, PPAK8L

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQJ456EP
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 6 V ID (A) Configuration

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 32 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 0.021 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Power Dissipation Pd: 83 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: PowerPAK SO
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SQJ456EPT1GE3, SQJ456EP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SQJ456EP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W DIODE, 100 V, 32 A, PPAK8L

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка